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【プレスリリース】極めて微細な素子への応用につながる層状半導体物質における電気伝導現象の研究成果発表

【プレスリリース】極めて微細な素子への応用につながる層状半導体物質における電気伝導現象の研究成果発表

横浜国立大学大学院工学研究院の島津佳弘准教授(工学府物理工学コース)の研究グループが、従来の半導体素子の材料の限界を超える新材料として期待される、原子レベルに薄くすることのできる半導体物質の電気伝導現象を調べ、素子への応用に極めて役立ついくつかの知見を明らかにしました。この種の物質を使うことで、半導体素子の微細化の限界をうちやぶることが期待されています。
本研究成果は、2016年7月20日に、
Y. Shimazu, M. Tashiro et al., "Environmental Effects on Hysteresis of Transfer Characteristics in Molybdenum Disulfide Field-Effect Transistors", Scientific Reports, Vol. 6, 30084; doi: 10.1038/srep30084 (2016)新しいウインドウが開きます
として発表されました。
なお、本研究は、JSPS 科研費 15K13497 の助成を受けたものです。

詳しくは、詳細資料をご覧ください。
 

問い合わせ担当先

横浜国立大学大学院工学研究院 准教授 島津 佳弘 電話:045-339-4150
メールアドレス:yshimazuynu.ac.jp

(担当:総務部広報・渉外課)


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