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3. 「横浜国立大学集積エレクトロニクス技術公開シンポジウム」の開催について

本シンポジウムは、我が国における最先端の半導体および集積エレクトロニクス技術に関する最新動向を共有し議論を行い、本分野の技術者・研究者が新たな知見やネットワークを築く場を提供する。また、横浜国立大学での取り組みや、本学で今年度から開始した集積エレクトロニクスに関するリスキリングプログラムについても紹介する。

日時

２０２６年２月１８日（水）１３：００～１７：００
（懇親会１７：１０－１８：４５）

場所

ＴＫＰガーデンシティＰＲＥＭＩＵＭ横浜駅新高島（横浜駅から徒歩５分）
横浜市西区みなとみらい５－１－１　横浜グランゲート２階
（２階ＴＫＰ専用エントランスをご利用ください。１階エントランスとは繋がっておりません。）

プログラム

１３：００－１３：０５　開会挨拶　学長 梅原出
１３：０５－１３：１０　挨拶　SQIE研究センター・センター長　真鍋誠司
１３：１０－１３：５５　特別講演１「半導体集積デバイス技術の基礎と進化」
　　　　　　　　　　　　帝京大学先端総合研究機構　髙木信一
１３：５５－１４：４０　特別講演２「メンブレン化合物半導体デバイスを用いた光電融合デバイス」
　　　　　　　　　　　　NTT先端集積デバイス研究所　松尾慎治
１４：４０－１４：５０　講演「リスキリングプログラムについて」
　　　　　　　　　　　　SQIE研究センター　荒川太郎
１５：０５－１５：４０　招待講演１「ノーベル物理学賞から見える次世代半導体・超伝導エレクトロニクス」
　　　　　　　　　　　　SQIE研究センター　吉川信行
１５：４０－１６：１５　招待講演２「極限性能から再設計する超低消費電力エレクトロニクス」
　　　　　　　　　　　　SQIE研究センター　西口克彦
１６：１５－１６：５０　招待講演３「次世代半導体を支える「後工程」技術の今」
　　　　　　　　　　　　SQIE研究センター　井上史大
１６：５０－１６：５５　閉会挨拶　SQIE研究センター・副センター長　為近恵美
１７：１０－１８：４５　懇親会

申込み方法

参加申込締切：２０２６年２月１１日（水）
定員：　１００名（先着）
参加費：無料
※定員に達し次第、申し込みを締め切らせていただきます。

下記からお申込みください
https://forms.office.com/r/jc5KA6mNPx

主催

横浜国立大学　半導体・量子集積エレクトロニクス研究センター／大学院先進実践学環

関連リンク

• 横浜国立大学大学院先進実践学環

(担当：先進実践学環)