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【プレスリリース】半導体後工程の新たなチップ集積手法を開発
チップレット集積における配線の高密度化に貢献

横浜国立大学 工学研究院(ヘテロ集積研究拠点長)の井上史大准教授は、株式会社ディスコ、東レエンジニアリング株式会社と共同で、直接接合技術を用いた、新規なチップ仮接合および剥離技術の開発に成功しました。
半導体デバイスの微細化限界を突破し、高性能化・低消費電力化を目指す手法として「チップレット集積」が大きな注目を集めています。しかしチップをウエハ上に接合し垂直方向の電気的な接続を担保する接合/配線技術に課題が残っており、新たな接合手法や集積手法が求められています。
本研究では新たに開発されたCVD絶縁膜を用いて、チップをウエハ上に仮接合する方法が示されました。このアプローチでは、仮接合はプラズマ活性化ダイレクトボンディングによって行われます。したがって、仮接合界面はほとんどの前工程プロセスと互換性があり、先端ファブの技術を用いたさらなる微細化など、拡張性の見込める集積技術です。さらに、界面層が薄く固体であるため、ボンディング中のダイのずれのリスクを軽減することができます。これによってDie-to-Waferの「ハイブリッド接合」を可能とし、仮接合による材料の加工時間、材料損失を削減、低コスト化が実現可能になる新規な垂直方向配線形成技術及びチップ集積技術です。
この成果は5月30日（火） ～ 6月2日（金）にアメリカ・フロリダで開催される半導体パッケージング技術に関する最大の国際会議IEEE 73rd Electronic Components and Technology Conference （ECTC2023）で公表されます。

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(担当：リレーション推進課)